STB21N90K5 分立半导体 晶体管 TO-263-3 原装正品

STB21N90K5 产品描述：

器件是N沟道功率MOSFET使用SuperMESH™5技术开发。这是革命性的，雪崩般崎岖，高电压功率MOSFET技术基于创新的专有垂直结构。

这个结果是导通电阻和用于以下应用的超低栅极电荷需要卓越的功率密度和高效率。

STB21N90K5 产品属性：

制造商: STMicroelectronics  

产品种类: MOSFET   

技术: Si  

安装风格: SMD/SMT  

封装 / 箱体: D2PAK-3 (TO-263-3)  

晶体管极性: N-Channel  

通道数量: 1 Channel  

Vds-漏源极击穿电压: 900 V  

Id-连续漏极电流: 18.5 A  

Rds On-漏源导通电阻: 299 mOhms  

Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V  

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V  

Qg-栅极电荷: 43 nC  

最小工作温度: - 55 C  

最大工作温度: + 150 C  

Pd-功率耗散: 250 W  

通道模式: Enhancement  

商标名: SuperMESH  

系列: STB21N90K5  

封装: Reel  

封装: Cut Tape  

封装: MouseReel  

商标: STMicroelectronics  

配置: Single  

产品类型: MOSFET  

工厂包装数量: 1000  

子类别: MOSFETs  

单位重量: 4 g 

STB21N90K5 产品测试电路：

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