MT47H128M16RT-25EIT:C 动态随机存取存储器 Micron

MT47H128M16RT-25EIT:C 产品描述：

 DDR2 SDRAM使用双倍数据速率架构来实现高速运行。双倍数据速率架构本质上是一种4n预取架构，其接口设计用于在I/O球上每个时钟周期传输两个数据字。DDR2 SDRAM的一次读写操作实际上包括内部DRAM内核的一次4n位宽、两个时钟周期的数据传输和I/O球的四次相应的n位宽、半个时钟周期的数据传输。双向数据选通脉冲（DQS，DQS#）与数据一起向外传输，用于接收器的数据采集。DQS是一种选通脉冲，在读取期间由DDR2 SDRAM传输，在写入期间由内存控制器传输。DQS在读取时与数据边缘对齐，在写入时与数据中心对齐。x16产品有两个数据块，一个用于低位字节（LDQS，LDQS#），一个用于高位字节（UDQS，UDQS#）。DDR2 SDRAM使用差分时钟（ck和CK #）；CK走高和CK#走低的交叉将被称为CK的正边缘。命令（地址和控制信号）记录在CK的每个正沿。输入数据注册在DQS的两边，输出数据引用到DQS的两边以及CK的两边。对DDR2 SDRAM的读写访问是面向突发的；访问从选定的位置开始，并在编程序列中的编程数量的位置继续。访问从激活命令的注册开始，然后是读或写命令。与激活命令同时注册的地址位用于选择要访问的存储体和行。与读或写命令同时注册的地址位用于选择突发访问的存储体和起始列位置。DDR2 SDRAM提供四个或八个位置的可编程读取或写入突发长度。DDR2 SDRAM支持用另一个读操作中断8个突发读操作，或用另一个写操作中断8个突发写操作。可以启用自动预充电功能来提供在突发访问结束时启动的自定时行预充电。与标准DDR SDRAM一样，DDR SDRAM的流水线式多存储体架构支持并发操作，从而通过隐藏较低的预充电和激活时间来提供高有效带宽。提供自刷新模式以及省电、关断模式。所有输入均与SSTL_18的JEDEC标准兼容。所有全驱动强度输出均与SSTL 18兼容。

MT47H128M16RT-25EIT:C 产品属性：

制造商: Micron Technology  

产品种类: 动态随机存取存储器  

RoHS:  详细信息  

类型: SDRAM - DDR2  

安装风格: SMD/SMT  

封装 / 箱体: FBGA-84  

数据总线宽度: 16 bit  

组织: 128 M x 16  

存储容量: 2 Gbit  

最大时钟频率: 400 MHz  

访问时间: 400 ps  

电源电压-最大: 1.9 V  

电源电压-最小: 1.7 V  

电源电流—最大值: 105 mA  

最小工作温度: - 40 C  

最大工作温度: + 95 C  

系列: MT47H  

封装: Tray  

商标: Micron  

湿度敏感性: Yes  

产品类型: DRAM  

工厂包装数量: 1260  

子类别: Memory & Data Storage  

单位重量: 2.623 g 

MT47H128M16RT-25EIT:C 产品零件编号：

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