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FDD3860 MOSFET 100V 封装TO-252-3 ON品牌 明信威

深圳市明信威科技有限公司 / 02-27 11:43

FDD3860 MOSFET 100V 封装TO-252-3  ON品牌 明信威

FDD3860


FDD3860 产品描述:


概述此N沟道MOSFET是ON的坚固栅极版本半导体先进的Power Trench®工艺。这部分是针对低rDS(开启)和低Qg品质因数量身定制,具有雪崩功能

坚固耐用,适用于广泛的开关应用。


FDD3860 产品属性:


制造商: onsemi  

产品种类: MOSFET  

技术: Si  

安装风格: SMD/SMT  

封装 / 箱体: DPAK-3 (TO-252-3)  

晶体管极性: N-Channel  

通道数量: 1 Channel  

Vds-漏源极击穿电压: 100 V  

Id-连续漏极电流: 6.2 A  

Rds On-漏源导通电阻: 36 mOhms  

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V  

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V  

Qg-栅极电荷: 31 nC  

最小工作温度: - 55 C  

最大工作温度: + 150 C  

Pd-功率耗散: 3.1 W  

通道模式: Enhancement  

商标名: PowerTrench  

系列: FDD3860  

封装: Reel  

封装: Cut Tape  

封装: MouseReel  

商标: onsemi / Fairchild  

配置: Single  

下降时间: 7 ns  

高度: 2.39 mm  

长度: 6.73 mm  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 10 ns  

工厂包装数量: 2500  

子类别: MOSFETs  

晶体管类型: 1 N-Channel  

典型关闭延迟时间: 24 ns  

典型接通延迟时间: 16 ns  

宽度: 6.22 mm  

单位重量: 330 mg 


FDD3860 产品应用:


1.DC-AC转换

2.同步整流器


FDD3860 MOSFET最大额定值TC=25°C,除非另有说明。


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